台积电3nm制程工艺9月量产 良品率优于预期

虽然三星已经实现3nm制程工艺的量产,但鉴于骁龙888和骁龙8+的失败,依旧被普遍质疑工艺的成熟性。

而现在,台积电的3nm制程工艺也来了。

目前有消息称,以台积电N3制程试产情况来看,其N3制程预期9月进入量产,并且初期良率表现会比5纳米N5制程初期还好。

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日前,台积电总裁魏哲家在法人说明会中表示,台积电的N3制程进度符合预期,将在2022年下半年量产并具备良好良率,同时在2023年稳定量产,并于2023年上半年开始贡献营收。

另外,台积电优化N3制程推出的3纳米N3E(3纳米加强版)制程研发成果优于预期,N3E制程将作为台积电3纳米家族的延伸,具有更好的效能、功耗和良品率,N3E制程将在2023年下半年进入量产,苹果及英特尔会是主要的两大客户。

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据悉,台积电3纳米仍然采用鳍式场效电晶体(FinFET)架构,但N3制程已采用创新的TSMC FINFLEX技术,将3纳米家族技术的PPA(效能、功耗及面积)进一步提升。

台积电的FINFLEX技术让芯片设计人员能够在相同的芯片上,利用相同的设计工具,选择最佳的鳍结构以支援每一个关键功能区块,是让3纳米获得众多客户青睐及采用的关键。

更早之前,高通曾宣布称未来两年的旗舰骁龙处理器都将由台积电代工,有台积电加持,未来两年的旗舰手机们性能真的是值得期待。

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