Synopsys 推出业界首个 HBM3 内存设计解决方案,带宽 921 GB/s

10 月 10 日消息 根据外媒 techpowerup 报道,美国公司 Synopsys(新思)于 10 月 9 日宣布推出业界首个完整的 HBM3 IP 内存芯片设计方案。这项技术是 HBM2e 的升级版,可以满足高性能计算设备、计算加速卡等产品的高带宽需求,采用多层芯片封装的工艺。HBM 内存通常封装在 GPU 芯片旁,相比传统显存芯片速率大幅提升,HBM3 可以实现高达 921GB/s 的内存带宽。

新思科技是全球排名第一的电子设计自动化 (EDA) 解决方案提供商,全球排名第一的芯片接口 IP 供应商,主要提供芯片设计软件和解决方案等。本次发布的 HBM3 解决方案,包括验证 IP、用于 ZeBu 仿真的 HBM3 模型以及 HAPS 原型设计方案等,可以加速相关产品的设计开发流程。

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新思科技的 DesignWare HBM3 控制器 IP 还支持多种灵活的配置,包括纠错码、刷新管理、奇偶校验等高级 RAS 功能,可以最大化减少内库存延迟,优化数据完整性。具体来看,方案中的 HBM3 芯片利用特制的微凸点阵列与中间通讯层连接,中间层采用内走线设计,具有更大的灵活性,有助于缩小长度。

DesignWare HBM3 PHY IP 采用 5nm 制造工艺,同时每个引脚的通讯速度高达 7200Mbps。芯片的电源效率相比前代产品也有提升,并支持多达 4 种功耗状态。官方表示,Synopsys 公司将继续满足数据密集型 SoC 的设计和验证要求,为 HBM3、DDR5、LPDDR5 内存提供高质量的解决方案。

美光、三星电子以及 SK 海力士等该公司均表示,将继续与新思科技进行合作,致力于开发下一代 HBM3 内存,以满足日益增长的 AI、图形运算需求。

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